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Si4894BDY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
30
R DS(on) ( Ω )
0.011 at V GS = 10 V
0.016 at V GS = 4.5 V
I D (A)
12
9.8
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
D
SO-8
S
1
8
D
S
S
G
2
3
4
7
6
5
D
D
D
G
Top View
Ordering Information: Si4894BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4894BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
12
9.5
40
8.9
7.1
A
Continuous Source Current (Diode
Single Pulse Avalanche Current
Avalanche Energy
Conduction) a
L = 0.1 mH
I S
I AS
E AS
2.3
20
20
1.3
mJ
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
2.5
1.6
- 55 to 150
1.4
0.9
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
43
73
19
50
90
25
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 72993
S09-0540-Rev. D, 06-Apr-09
www.vishay.com
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